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MRFE6VP61K25HSR6

MRFE6VP61K25HSR6

僅供參考

型號 MRFE6VP61K25HSR6
PNEDA編號 MRFE6VP61K25HSR6
描述 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP61K25HSR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP61K25HSR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
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MRFE6VP61K25HSR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益24dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出1250W
電壓-額定133V
包裝/箱NI-1230S
供應商設備包裝NI-1230S

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5A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

7.5W

電壓-額定

30V

包裝/箱

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供應商設備包裝

PW-X

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

12.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

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電壓-額定

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

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晶體管類型

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頻率

-

增益

12dB

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

60mA

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

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17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

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