晶體管

MRFG35010NR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.55GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.55GHz
• 增益: 10dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 180mA
• 功率-輸出: 9W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: PLD-1.5
• 供應商設備包裝: PLD-1.5

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MRFG35010NT1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.55GHz
• 增益: 10dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 180mA
• 功率-輸出: 9W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: PLD-1.5
• 供應商設備包裝: PLD-1.5

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MRFG35010R1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.55GHz
• 增益: 10dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 180mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: NI-360HF
• 供應商設備包裝: NI-360HF

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MRFG35010R5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.55GHz
• 增益: 10dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 180mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: NI-360HF
• 供應商設備包裝: NI-360HF

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MRFG35020AR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.5GHZ NI-360

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.5GHz
• 增益: 11.5dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 300mA
• 功率-輸出: 2W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: NI-360
• 供應商設備包裝: NI-360

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MRFG35020AR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.5GHZ NI-360

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.5GHz
• 增益: 11.5dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 300mA
• 功率-輸出: 20W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: NI-360
• 供應商設備包裝: NI-360

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MRFG35030R5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 15V 3.55GHZ HF-600

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: pHEMT FET
• 頻率: 3.55GHz
• 增益: 12dB
• 電壓-測試: 12V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 650mA
• 功率-輸出: 3W
• 電壓-額定: 15V
• 包裝/箱: HF-600
• 供應商設備包裝: -

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MRFX035HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.8MHz ~ 512MHz
• 增益: 24.8dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: 10µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 15mA
• 功率-輸出: 35W
• 電壓-額定: 179V
• 包裝/箱: NI-360H-2SB
• 供應商設備包裝: NI-360H-2SB

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MRFX1K80GNR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

600MHZ 1.8KW OM1230G-4L

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.8MHz ~ 470MHz
• 增益: 24dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: -
• 功率-輸出: 1800W
• 電壓-額定: -
• 包裝/箱: OM-1230G-4L
• 供應商設備包裝: OM-1230G-4L

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MRFX1K80HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.8MHz ~ 470MHz
• 增益: 24dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: 10µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 200mA
• 功率-輸出: 1800W
• 電壓-額定: 182V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MRFX1K80NR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

600MHZ 1.8KW OM1230-4L

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.8MHz ~ 470MHz
• 增益: 24dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: -
• 功率-輸出: 1800W
• 電壓-額定: -
• 包裝/箱: OM-1230-4L
• 供應商設備包裝: OM-1230-4L

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MRFX600GSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.8MHz ~ 400MHz
• 增益: 26.4dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: 10µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 600W
• 電壓-額定: 179V
• 包裝/箱: NI-780GS-4L
• 供應商設備包裝: NI-780GS-4L

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MRFX600HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.8MHz ~ 400MHz
• 增益: 26.4dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: 10µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 600W
• 電壓-額定: 179V
• 包裝/箱: NI780-4
• 供應商設備包裝: NI-780-4

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MRFX600HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.8MHz ~ 400MHz
• 增益: 26.4dB
• 電壓-測試: 65V
• 額定電流（安培）: 10µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 600W
• 電壓-額定: 179V
• 包裝/箱: NI-780S-4L
• 供應商設備包裝: NI-780S-4L

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MW6S004NT1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.96GHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 50mA
• 功率-輸出: 4W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: PLD-1.5
• 供應商設備包裝: PLD-1.5

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MW6S010GMR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270BA
• 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL

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MW6S010GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270BA
• 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL

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MW6S010MR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ TO-270-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270-2
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MW6S010NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ TO270-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270AA
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MW7IC2020NT1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 32.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 40mA
• 功率-輸出: 2.4W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: 24-PowerQFN
• 供應商設備包裝: 24-PQFN (8x8)

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MW7IC2425NBR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.45GHz
• 增益: 27.7dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 55mA
• 功率-輸出: 25W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: TO-272-16 Variant, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TO-272 WB-16

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MWT-173

Microwave Technology Inc.

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 5V 12GHZ PKG 73

• 制造商: Microwave Technology Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET
• 頻率: 100MHz ~ 12GHz
• 增益: 10dB
• 電壓-測試: 5V
• 額定電流（安培）: 240mA
• 噪聲系數: 2dB
• 當前-測試: 240mA
• 功率-輸出: 300mW
• 電壓-額定: 5V
• 包裝/箱: Nonstandard SMD
• 供應商設備包裝: 73

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MWT-1789SB

Microwave Technology Inc.

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89

• 制造商: Microwave Technology Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET
• 頻率: 500MHz ~ 4GHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 6.5V
• 額定電流（安培）: 440mA
• 噪聲系數: 1.3dB
• 當前-測試: 440mA
• 功率-輸出: 28dbm
• 電壓-額定: 6.5V
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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MWT-773

Microwave Technology Inc.

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 5V 26GHZ PKG 73

• 制造商: Microwave Technology Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET
• 頻率: 500MHz ~ 26GHz
• 增益: 8dB
• 電壓-測試: 3V
• 額定電流（安培）: 98mA
• 噪聲系數: 12dB
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: 20dBm
• 電壓-額定: 5V
• 包裝/箱: Nonstandard SMD
• 供應商設備包裝: 73

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MWT-A973

Microwave Technology Inc.

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 5V 18GHZ PKG 73

• 制造商: Microwave Technology Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET
• 頻率: 500MHz ~ 18GHz
• 增益: 6.5dB
• 電壓-測試: 3V
• 額定電流（安培）: 120mA
• 噪聲系數: 1.8dB
• 當前-測試: 30mA
• 功率-輸出: 24.5dBm
• 電壓-額定: 5V
• 包裝/箱: Nonstandard SMD
• 供應商設備包裝: 73

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NE25139-T1

CEL

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 13V 900MHZ SOT-143

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET Dual Gate
• 頻率: 900MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 5V
• 額定電流（安培）: 40mA
• 噪聲系數: 1.1dB
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: -
• 電壓-額定: 13V
• 包裝/箱: TO-253-4, TO-253AA
• 供應商設備包裝: SOT-143

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NE25139-T1-U73

CEL

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 13V 900MHZ SOT-143

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: MESFET Dual Gate
• 頻率: 900MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 5V
• 額定電流（安培）: 40mA
• 噪聲系數: 1.1dB
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: -
• 電壓-額定: 13V
• 包裝/箱: TO-253-4, TO-253AA
• 供應商設備包裝: SOT-143

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NE3210S01

CEL

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 4V 12GHZ S01

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: HFET
• 頻率: 12GHz
• 增益: 13.5dB
• 電壓-測試: 2V
• 額定電流（安培）: 15mA
• 噪聲系數: 0.35dB
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: -
• 電壓-額定: 4V
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: SMD

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NE3210S01-T1B

CEL

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 4V 12GHZ S01

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: HFET
• 頻率: 12GHz
• 增益: 13.5dB
• 電壓-測試: 2V
• 額定電流（安培）: 15mA
• 噪聲系數: 0.35dB
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: -
• 電壓-額定: 4V
• 包裝/箱: 4-SMD
• 供應商設備包裝: SMD

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NE34018-64-A

CEL

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 4V 2GHZ SOT-343

• 制造商: CEL
• 系列: -
• 晶體管類型: HFET
• 頻率: 2GHz
• 增益: 16dB
• 電壓-測試: 2V
• 額定電流（安培）: 120mA
• 噪聲系數: 0.6dB
• 當前-測試: 5mA
• 功率-輸出: 12dBm
• 電壓-額定: 4V
• 包裝/箱: SC-82A, SOT-343
• 供應商設備包裝: SOT-343

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