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MRF8S7170NR3

MRF8S7170NR3

僅供參考

型號 MRF8S7170NR3
PNEDA編號 MRF8S7170NR3
描述 FET RF 70V 748MHZ OM780-2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S7170NR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S7170NR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8S7170NR3, MRF8S7170NR3數據表 (總頁數: 13, 大小: 367.13 KB)
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MRF8S7170NR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率748MHz
增益19.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.2A
功率-輸出50W
電壓-額定70V
包裝/箱OM-780-2
供應商設備包裝OM-780-2

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電壓-測試

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10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.85A

功率-輸出

220W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

13.6dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

19W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780S

制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.6GHz ~ 2.7GHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

45W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

700MHz ~ 1.3GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

350W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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供應商設備包裝

OM-780-4L

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晶體管類型

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頻率

2.7GHz ~ 3.1GHz

增益

15dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

3.5A

噪聲系數

-

當前-測試

25mA

功率-輸出

6W

電壓-額定

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