晶體管

型號	描述	庫存
SMMBT6427LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存21,612
SMMBT6521LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.1A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 2mA, 10V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,104
SMMBTA06LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存27,786
SMMBTA06LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,060
SMMBTA06WT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存42,192
SMMBTA06WT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存8,874
SMMBTA13LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,914
SMMBTA14LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存43,530
SMMBTA14LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,884
SMMBTA42LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存96,006
SMMBTA42LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,704
SMMBTA56LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存55,284
SMMBTA56LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,644
SMMBTA56WT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存85,992
SMMBTA56WT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存3,960
SMMBTA64LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,608
SMMBTA92LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 0.5A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,484
SMMBTA92LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,838
SMMJT350T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 650mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)	庫存4,032
SMMJT350T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 BIP S0T223 PNP 0.5A 300V 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 2.75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)	庫存3,078
SMSD1002T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN SOD123 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,964
SMSD1819A-RT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 210 @ 2mA, 10V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存7,362
SMSD602-RT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.5A SC59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 150mA, 10V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3	庫存6,030
SNSS20101JT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 1A SC-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 225mW 頻率-過渡: 350MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SC-89-3	庫存7,542
SNSS30201MR6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 2A TSOP-6 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 5V 功率-最大: 535mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存5,238
SNSS35200MR6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 35V 2A TSOP-6 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 310mV @ 20mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存2,448
SNSS40600CF8T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 6A 8CHIPFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 400mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 1A, 2V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: ChipFET™	庫存6,282
SO642 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 310mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,986
SO692 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 0.1A SOT23 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V 功率-最大: 310mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,632
SPZT2222AT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223-3	庫存2,880

SMMBT6427LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存21,612

SMMBT6521LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 2mA, 10V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,104

SMMBTA06LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存27,786

SMMBTA06LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,060

SMMBTA06WT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存42,192

SMMBTA06WT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存8,874

SMMBTA13LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,914

SMMBTA14LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存43,530

SMMBTA14LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,884

SMMBTA42LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存96,006

SMMBTA42LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,704

SMMBTA56LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存55,284

SMMBTA56LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,644

SMMBTA56WT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存85,992

SMMBTA56WT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存3,960

SMMBTA64LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,608

SMMBTA92LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,484

SMMBTA92LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,838

SMMJT350T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 650mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

庫存4,032

SMMJT350T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

BIP S0T223 PNP 0.5A 300V

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 2.75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

庫存3,078

SMSD1002T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN SOD123

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,964

SMSD1819A-RT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 210 @ 2mA, 10V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存7,362

SMSD602-RT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.5A SC59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 150mA, 10V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3

庫存6,030

SNSS20101JT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A SC-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 225mW
頻率-過渡: 350MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SC-89-3

庫存7,542

SNSS30201MR6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 2A TSOP-6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 5V
功率-最大: 535mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存5,238

SNSS35200MR6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 35V 2A TSOP-6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 310mV @ 20mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存2,448

SNSS40600CF8T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 6A 8CHIPFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 1A, 2V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: ChipFET™

庫存6,282

SO642

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.1A SOT23

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 310mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,986

SO692

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.1A SOT23

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
功率-最大: 310mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,632

SPZT2222AT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223-3

庫存2,880

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