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SNSS35200MR6T1G

SNSS35200MR6T1G

僅供參考

型號 SNSS35200MR6T1G
PNEDA編號 SNSS35200MR6T1G
描述 TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SNSS35200MR6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SNSS35200MR6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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SNSS35200MR6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)35V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic310mV @ 20mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1.5A, 1.5V
功率-最大625mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 10V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

550V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 2A, 5V

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