晶體管

型號	描述	庫存
SS9013HTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 144 @ 50mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,724
SS9014ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存57,846
SS9014BBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,236
SS9014BTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,334
SS9014CBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存165,192
SS9014CTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,802
SS9014DBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存39,294
SS9014DTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 270MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,722
SS9015ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 190MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,478
SS9015BBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 190MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,970
SS9015BTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 190MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,034
SS9015CBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 190MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,484
SS9015CTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V 功率-最大: 450mW 頻率-過渡: 190MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,772
SST2222AHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,418
SST2222AT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存56,982
SST2907AHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存26,892
SST2907AT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A SSD3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存43,476
SST3904HZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存2,700
SST3904T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存167,226
SST3906HZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存28,542
SST3906T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存26,064
SST4401HZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,004
SST4401T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.6A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存26,568
SST4403T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.6A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存29,400
SST6427T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 10mA, 5V 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SMD	庫存3,924
SST6838T216 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 10mA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存3,580
SST6839T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存3,564
SST6839T216 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存7,902
SSTA06HZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存7,344
SSTA06T116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 0.5A SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存100,830

SS9013HTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 144 @ 50mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,724

SS9014ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存57,846

SS9014BBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,236

SS9014BTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,334

SS9014CBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存165,192

SS9014CTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,802

SS9014DBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存39,294

SS9014DTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 270MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,722

SS9015ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 190MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,478

SS9015BBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 190MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,970

SS9015BTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 190MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,034

SS9015CBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 190MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,484

SS9015CTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
功率-最大: 450mW
頻率-過渡: 190MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,772

SST2222AHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,418

SST2222AT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存56,982

SST2907AHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存26,892

SST2907AT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SSD3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存43,476

SST3904HZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存2,700

SST3904T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存167,226

SST3906HZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存28,542

SST3906T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存26,064

SST4401HZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,004

SST4401T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存26,568

SST4403T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.6A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存29,400

SST6427T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 10mA, 5V
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SMD

庫存3,924

SST6838T216

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 10mA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存3,580

SST6839T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存3,564

SST6839T216

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存7,902

SSTA06HZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存7,344

SSTA06T116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存100,830

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