晶體管

型號	描述	庫存
KSD363RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存21,372
KSD363Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,626
KSD363YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,420
KSD401FYTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 2A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,634
KSD401G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 2A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 400mA, 10V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,760
KSD401O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 2A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,344
KSD401Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 2A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,226
KSD401YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 2A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,778
KSD471ACGBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,420
KSD471ACGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,780
KSD471ACYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,492
KSD471ACYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,676
KSD471AGBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,714
KSD471AGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存34,752
KSD471AYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存69,750
KSD471AYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 130MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,340
KSD5018 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,762
KSD5018PWD ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,840
KSD5018TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,856
KSD5041PBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,240
KSD5041PTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,046
KSD5041QBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,808
KSD5041QTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,740
KSD5041RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 340 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,942
KSD5041RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 340 @ 500mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存80,052
KSD526O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 8MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,960
KSD526OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 8MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,488
KSD526Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 8MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,964
KSD526YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 8MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,600
KSD560OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,128

KSD363RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存21,372

KSD363Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,626

KSD363YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,420

KSD401FYTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,634

KSD401G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 400mA, 10V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,760

KSD401O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,344

KSD401Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,226

KSD401YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 400mA, 10V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,778

KSD471ACGBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,420

KSD471ACGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,780

KSD471ACYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,492

KSD471ACYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,676

KSD471AGBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,714

KSD471AGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存34,752

KSD471AYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存69,750

KSD471AYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 130MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,340

KSD5018

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,762

KSD5018PWD

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,840

KSD5018TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 275V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,856

KSD5041PBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,240

KSD5041PTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,046

KSD5041QBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,808

KSD5041QTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,740

KSD5041RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 340 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,942

KSD5041RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 340 @ 500mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存80,052

KSD526O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 8MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,960

KSD526OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 8MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,488

KSD526Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 8MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,964

KSD526YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 4A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 30µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 8MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,600

KSD560OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,128

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