晶體管

型號	描述	庫存
KSD1944TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 500mA, 4V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存4,680
KSD2012GTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存36,714
KSD2012YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存3,348
KSD2012YYDTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)	庫存8,982
KSD2058YTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 400kHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存5,994
KSD2058YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 400kHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存3,726
KSD227GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 50mA, 1V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,874
KSD227GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 50mA, 1V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,956
KSD227YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 1V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,574
KSD227YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 1V 功率-最大: 400mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,358
KSD261CGBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,668
KSD261CGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,244
KSD261CYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,454
KSD261CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,766
KSD261GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,082
KSD261GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,412
KSD261YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,880
KSD261YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,302
KSD288O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,068
KSD288OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,436
KSD288W ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,776
KSD288WTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,164
KSD288Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,634
KSD288YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 55V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V 功率-最大: 25W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,454
KSD362N ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 70V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,470
KSD362R ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 70V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,870
KSD362RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 70V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,956
KSD363O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,354
KSD363OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,078
KSD363R ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 6A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,284

KSD1944TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 500mA, 4V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存4,680

KSD2012GTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存36,714

KSD2012YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存3,348

KSD2012YYDTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)

庫存8,982

KSD2058YTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 400kHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存5,994

KSD2058YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 400kHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存3,726

KSD227GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 50mA, 1V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,874

KSD227GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 50mA, 1V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,956

KSD227YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 1V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,574

KSD227YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 1V
功率-最大: 400mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,358

KSD261CGBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,668

KSD261CGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,244

KSD261CYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,454

KSD261CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,766

KSD261GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,082

KSD261GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,412

KSD261YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,880

KSD261YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,302

KSD288O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,068

KSD288OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,436

KSD288W

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,776

KSD288WTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,164

KSD288Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,634

KSD288YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 5V
功率-最大: 25W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,454

KSD362N

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 70V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,470

KSD362R

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 70V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,870

KSD362RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 70V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,956

KSD363O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,354

KSD363OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,078

KSD363R

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 6A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,284

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