晶體管

型號	描述	庫存
KSE350STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存3,474
KSE44H11 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存21,732
KSE44H11TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存17,526
KSE45H11 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存21,996
KSE45H11TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存18,810
KSE45H8 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,480
KSE45H8TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.67W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,750
KSE5020AS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 500V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 300mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 18MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存3,240
KSE5020S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 500V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 300mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 18MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,232
KSE5740TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 300V 8A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V 功率-最大: 80W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,498
KSE5741TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 350V 8A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V 功率-最大: 80W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,640
KSE5742 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V 功率-最大: 80W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,940
KSE700S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,156
KSE700STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存3,924
KSE701STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存5,022
KSE702S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,426
KSE702STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存4,950
KSE703S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,088
KSE703STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存3,366
KSE800S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,874
KSE800STSSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,586
KSE800STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存5,886
KSE801STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存4,050
KSE802STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,016
KSE803S ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,214
KSE803STU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,748
KSH112GTM ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 25MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存3,744
KSH112GTM_NB82051 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 25MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存6,894
KSH112GTM_SB82051 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 25MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存3,546
KSH112ITU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 2A I-PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V 功率-最大: 1.75W 頻率-過渡: 25MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供應商設備包裝: I-PAK	庫存3,492

KSE350STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存3,474

KSE44H11

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存21,732

KSE44H11TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存17,526

KSE45H11

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存21,996

KSE45H11TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存18,810

KSE45H8

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,480

KSE45H8TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.67W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,750

KSE5020AS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 300mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 18MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存3,240

KSE5020S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 300mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 18MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,232

KSE5740TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 300V 8A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V
功率-最大: 80W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,498

KSE5741TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 8A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V
功率-最大: 80W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,640

KSE5742

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4A, 5V
功率-最大: 80W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,940

KSE700S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,156

KSE700STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存3,924

KSE701STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存5,022

KSE702S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,426

KSE702STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存4,950

KSE703S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,088

KSE703STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存3,366

KSE800S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,874

KSE800STSSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,586

KSE800STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存5,886

KSE801STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存4,050

KSE802STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,016

KSE803S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,214

KSE803STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,748

KSH112GTM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 25MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存3,744

KSH112GTM_NB82051

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 25MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存6,894

KSH112GTM_SB82051

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 25MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存3,546

KSH112ITU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A I-PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
功率-最大: 1.75W
頻率-過渡: 25MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝: I-PAK

庫存3,492

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