晶體管

STL50NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 965pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL51N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 6.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 724pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL52N25M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 110W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL55NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 965pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL56N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: +22V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL57N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 189W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL58N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: +22V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL5N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ K5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 38W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) VHV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL60N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: 20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 72W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL60N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL60NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL60P4LLF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3525pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL62P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ H6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL65N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL66N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 72W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL6N2VH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 16V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL6N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 283pF @ 24V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL6NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFLAT™ (5x5)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL6P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ H6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL70N10F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ III
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3210pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 136W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL70N4LLF5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 72W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL75N3LLZH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±18V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL75N8LF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: +21V, -16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6895pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL75NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL7LN80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 42W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL7N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL7N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 271pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 67W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFLAT™ (5x5)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL7N6F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL7N6LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 432pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL7N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 42W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車