晶體管

STL33N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 154mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL34N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL35N15F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ III
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1905pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL35N6F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ III
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 80W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL35N75LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL36N55M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL36N60M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1960pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 160W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL38N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL3N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 408pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL3N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 22W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL3N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

加入購物車更新到購物車

STL3NK40

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 430mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFLAT™ (5x5)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL3NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 188pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 22W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL3P6F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

加入購物車更新到購物車

STL40N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL40N75LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ III
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 5V
• Vgs（最大）: +20V, -16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL42N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta), 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3W (Ta), 208W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL42P4LLF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 75W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL42P6LLF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3780pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL45N10F7AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 72W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL45N60DM6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V 0.094 OHM TYP. 2

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ DM6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 160W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL45N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3470pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 160W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFLAT™ (8x8)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL45P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ H6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL47N60M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 189W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (8x8) HV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL4LN80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ K5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 38W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6) VHV
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL4N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta), 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 408pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL4N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 38W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車

STL4P2UH7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL4P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ H6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 639pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.4W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)
• 包裝/箱: 6-PowerWDFN

加入購物車更新到購物車

STL50N6F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 71W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN

加入購物車更新到購物車