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STL57N65M5

STL57N65M5

僅供參考

型號 STL57N65M5
PNEDA編號 STL57N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL57N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL57N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL57N65M5, STL57N65M5數據表 (總頁數: 16, 大小: 932.23 KB)
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STL57N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs69mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 189W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

730mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

71pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

520mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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