晶體管

型號	描述	庫存
STH240N75F3-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存18,600
STH245N75F3-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,754
STH250N55F3-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存5,256
STH250N6F3-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,454
STH260N6F6-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,138
STH260N6F6-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,496
STH265N6F6-2AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,274
STH265N6F6-6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,466
STH270N4F3-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	庫存7,974
STH270N4F3-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,816
STH270N8F7-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	庫存2,322
STH270N8F7-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存4,626
STH272N6F7-6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 333W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,462
STH275N8F7-2AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,320
STH275N8F7-6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存4,320
STH290N4F6-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,912
STH290N4F6-2AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,502
STH290N4F6-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,004
STH290N4F6-6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,344
STH300NH02L-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 109nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,056
STH310N10F7-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,986
STH310N10F7-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,992
STH315N10F7-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,840
STH315N10F7-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存4,446
STH320N4F6-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	庫存3,508
STH320N4F6-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,514
STH360N4F6-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17930pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,006
STH3N150-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 939pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 140W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H²PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	庫存46,782
STH400N4F6-2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 404nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2Pak-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,568
STH400N4F6-6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 404nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: H2PAK-6 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,834

STH240N75F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存18,600

STH245N75F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,754

STH250N55F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存5,256

STH250N6F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,454

STH260N6F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,138

STH260N6F6-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,496

STH265N6F6-2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,274

STH265N6F6-6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 183nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,466

STH270N4F3-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

庫存7,974

STH270N4F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,816

STH270N8F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

庫存2,322

STH270N8F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存4,626

STH272N6F7-6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 333W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,462

STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,320

STH275N8F7-6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存4,320

STH290N4F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,912

STH290N4F6-2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,502

STH290N4F6-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,004

STH290N4F6-6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,344

STH300NH02L-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 109nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,056

STH310N10F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,986

STH310N10F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,992

STH315N10F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,840

STH315N10F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存4,446

STH320N4F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

庫存3,508

STH320N4F6-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,514

STH360N4F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17930pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,006

STH3N150-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: PowerMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 939pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 140W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H²PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

庫存46,782

STH400N4F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 404nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2Pak-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,568

STH400N4F6-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 404nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: H2PAK-6
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,834

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