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晶體管

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頁面 1848/2164
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型號
描述
庫存
數量
STFW4N150
STFW4N150

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 63W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX
  • 包裝/箱: ISOWATT218FX
庫存8,868
STFW60N65M5
STFW60N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 23A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±25V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6810pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 79W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX
  • 包裝/箱: ISOWATT218FX
庫存9,084
STFW69N65M5
STFW69N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±25V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6420pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 79W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX
  • 包裝/箱: ISOWATT218FX
庫存15,912
STFW6N120K3
STFW6N120K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH3™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 63W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX
  • 包裝/箱: ISOWATT218FX
庫存4,284
STH110N10F7-2
STH110N10F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5117pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,542
STH110N10F7-6
STH110N10F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5117pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2PAK-6
  • 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
庫存7,128
STH110N7F6-2
STH110N7F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F6
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 68V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5850pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 176W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,736
STH110N8F7-2
STH110N8F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F7
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 170W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,156
STH12N120K5-2
STH12N120K5-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ K5
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44.2nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,048
STH130N10F3-2
STH130N10F3-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3305pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,812
STH130N8F7-2
STH130N8F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F7
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 205W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,408
STH140N6F7-2
STH140N6F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 158W (Tc)
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,574
STH140N6F7-6
STH140N6F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 158W (Tc)
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2PAK-6
  • 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
庫存2,772
STH140N8F7-2
STH140N8F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6340pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 200W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存22,620
STH145N8F7-2AG
STH145N8F7-2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 90A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6340pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 200W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,906
STH150N10F7-2
STH150N10F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8115pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,078
STH15NB50FI
STH15NB50FI

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: PowerMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 80W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOWATT-218
  • 包裝/箱: ISOWATT-218-3
庫存2,178
STH160N4LF6-2
STH160N4LF6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 181nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,946
STH170N8F7-2
STH170N8F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F7
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8710pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,154
STH175N4F6-2AG
STH175N4F6-2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7735pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,060
STH175N4F6-6AG
STH175N4F6-6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7735pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,988
STH180N10F3-2
STH180N10F3-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114.6nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6665pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 315W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存14,418
STH180N10F3-6
STH180N10F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114.6nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6665pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 315W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2PAK-6
  • 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
庫存4,122
STH180N4F6-2
STH180N4F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F6
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7735pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 190W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,418
STH185N10F3-2
STH185N10F3-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114.6nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6665pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 315W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,280
STH185N10F3-6
STH185N10F3-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114.6nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6665pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 315W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2PAK-6
  • 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
庫存2,592
STH210N75F6-2
STH210N75F6-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 171nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,268
STH240N10F7-2
STH240N10F7-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,652
STH240N10F7-6
STH240N10F7-6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ F7
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2PAK-6
  • 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
庫存2,628
STH240N75F3-2
STH240N75F3-2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: H2Pak-2
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,006