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STH270N8F7-2

STH270N8F7-2

僅供參考

型號 STH270N8F7-2
PNEDA編號 STH270N8F7-2
描述 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STH270N8F7-2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STH270N8F7-2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STH270N8F7-2規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs193nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)315W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝H²PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2415pF @ 100V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 34.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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203nC @ 10V

Vgs(最大)

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