晶體管

型號	描述	庫存
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 510µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1137pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,148
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,672
IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 520µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存11,328
IPA50R280CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 30.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,166
IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30.4W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,820
IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,400
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,022
IPA50R380CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 29.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,078
IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 29.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,588
IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,274
IPA50R500CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,610
IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,326
IPA50R520CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,608
IPA50R650CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 27.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,010
IPA50R650CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 27.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,470
IPA50R800CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 26.4W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,382
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26.4W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,850
IPA50R950CE Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 25.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,434
IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,040
IPA60R060C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,184
IPA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2895pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,506
IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,928
IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 119nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存108,408
IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,564
IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,512
IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,100
IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,542
IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,218
IPA60R125C6E8191XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,416
IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 960µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2127pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,864

IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 510µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1137pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,148

IPA50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,672

IPA50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 520µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存11,328

IPA50R280CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 30.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,166

IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30.4W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,820

IPA50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,400

IPA50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,022

IPA50R380CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 29.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,078

IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,588

IPA50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,274

IPA50R500CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,610

IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,326

IPA50R520CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,608

IPA50R650CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 27.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,010

IPA50R650CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,470

IPA50R800CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 26.4W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,382

IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26.4W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,850

IPA50R950CE

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 25.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,434

IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,040

IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,184

IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2895pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,506

IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,928

IPA60R099C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 119nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存108,408

IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,564

IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,512

IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,100

IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,542

IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,218

IPA60R125C6E8191XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,416

IPA60R125C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 960µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2127pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,864

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