晶體管

型號	描述	庫存
HUFA76645S3S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,668
HUFA76645S3ST ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,032
HUFA76645S3ST-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,004
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET_(20V 40V) 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-5-1 包裝/箱: 5-PowerSFN	庫存3,330
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET_(75V 120V( 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,562
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET_(75V 120V( 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,884
IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-33 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,086
IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-33 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,960
IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6370pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存19,356
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7670pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存2,250
IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9264pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存2,988
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 231nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16250pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存2,088
IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13178pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存6,696
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 100V 150A 3.5MOHM TOLL 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6110pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存4,590
IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6370pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存7,668
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 80V 200A 2.3MOHM TOLL 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7670pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存6,786
IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9264pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存5,418
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET_(75V,120V( 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11830pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存22,458
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 231nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16250pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存7,272
IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 80V 300A 1.4MOHM TOLL 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (DC) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13178pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存6,156
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET_(75V,120V( 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 216nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16011pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存2,034
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 IC GAN FET 600V 60A 8SON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolGaN™ FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-LSON-8-1 包裝/箱: 8-LDFN Exposed Pad	庫存3,690
IGO60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 IC GAN FET 600V 60A 20DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolGaN™ FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-20-85 包裝/箱: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	庫存3,582
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 IC GAN FET 600V 60A 20DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolGaN™ FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-20-87 包裝/箱: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	庫存8,280
IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 IC GAN FET 600V 60A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolGaN™ FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-3 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存5,850
IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolGaN™ FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 960µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 157pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 55.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-3 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存2,700
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLSIC MOSFETS 1200V 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 18V Vgs（最大）: +23V, -7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.12nF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,790
IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLSIC MOSFETS 1200V 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 15V Vgs（最大）: +20V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.9nF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 228W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,966
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLSIC MOSFETS 1200V 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 5.6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 18V Vgs（最大）: +23V, -7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.06nF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,806
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 COOLSIC MOSFETS 1200V 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 3.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 18V Vgs（最大）: +23V, -7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 707pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,394

HUFA76645S3S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,668

HUFA76645S3ST

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,032

HUFA76645S3ST-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,004

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET_(20V 40V)

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-5-1
包裝/箱: 5-PowerSFN

庫存3,330

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET_(75V 120V(

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,562

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET_(75V 120V(

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,884

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-33
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,086

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-33
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,960

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6370pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存19,356

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7670pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存2,250

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9264pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存2,988

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 231nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16250pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存2,088

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13178pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOG-8-1
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存6,696

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

100V 150A 3.5MOHM TOLL

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6110pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存4,590

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6370pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存7,668

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

80V 200A 2.3MOHM TOLL

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7670pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存6,786

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9264pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存5,418

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET_(75V,120V(

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11830pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存22,458

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 231nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16250pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存7,272

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

80V 300A 1.4MOHM TOLL

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (DC)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13178pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存6,156

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET_(75V,120V(

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 216nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16011pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存2,034

IGLD60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

IC GAN FET 600V 60A 8SON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolGaN™
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-LSON-8-1
包裝/箱: 8-LDFN Exposed Pad

庫存3,690

IGO60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolGaN™
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-20-85
包裝/箱: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

庫存3,582

IGOT60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolGaN™
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-20-87
包裝/箱: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

庫存8,280

IGT60R070D1ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolGaN™
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 2.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-3
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存5,850

IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolGaN™
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 960µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 157pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-3
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存2,700

IMW120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLSIC MOSFETS 1200V

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 18V
Vgs（最大）: +23V, -7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.12nF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,790

IMW120R045M1XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLSIC MOSFETS 1200V

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 15V
Vgs（最大）: +20V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.9nF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 228W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,966

IMW120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLSIC MOSFETS 1200V

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 5.6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 18V
Vgs（最大）: +23V, -7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.06nF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,806

IMW120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

COOLSIC MOSFETS 1200V

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V, 18V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.7V @ 3.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 18V
Vgs（最大）: +23V, -7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 707pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,394

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