晶體管

型號	描述	庫存
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 22W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,134
IPA60R360P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 22W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,528
IPA60R380C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,688
IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,894
IPA60R380P6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存10,824
IPA60R385CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,568
IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,964
IPA60R450E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,898
IPA60R460CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,444
IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,538
IPA60R520CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,806
IPA60R520E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,132
IPA60R600C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,932
IPA60R600CPXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 220µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,222
IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,662
IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 557pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,716
IPA60R600P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 21W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,516
IPA60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 21W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,472
IPA60R600P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 21W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,800
IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,828
IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 373pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 27W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,588
IPA60R800CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 373pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 27W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,436
IPA60R950C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,592
IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,454
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,568
IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,130
IPA65R099C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 38A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 127nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2780pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,896
IPA65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,898
IPA65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,542
IPA65R125C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,552

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,134

IPA60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,528

IPA60R380C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,688

IPA60R380E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,894

IPA60R380P6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 877pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存10,824

IPA60R385CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,568

IPA60R400CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,964

IPA60R450E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,898

IPA60R460CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,444

IPA60R520C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,538

IPA60R520CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,806

IPA60R520E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,132

IPA60R600C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,932

IPA60R600CPXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 220µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,222

IPA60R600E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,662

IPA60R600P6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 557pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,716

IPA60R600P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,516

IPA60R600P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,472

IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,800

IPA60R650CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,828

IPA60R750E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 373pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,588

IPA60R800CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 373pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,436

IPA60R950C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,592

IPA65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,454

IPA65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,568

IPA65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,130

IPA65R099C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 38A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 127nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2780pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,896

IPA65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,898

IPA65R110CFDXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,542

IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,552

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