晶體管

GP2M005A060FG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 658pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 32.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M005A060HG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 658pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 98.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M005A060PG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 658pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 98.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

GP2M005A060PGH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 658pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 98.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

GP2M007A065HG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1072pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 120W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M007A080F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060CG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 120W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060FG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 39W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060FGH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 39W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060HG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 120W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060PG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 120W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

GP2M008A060PGH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 120W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

GP2M009A090FG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2740pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 89W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M009A090NG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2740pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 312W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GP2M010A060F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M010A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 198W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M010A065F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 4.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M010A065H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 4.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 198W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M011A090NG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 416W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GP2M012A060F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 53.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M012A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 231W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M012A080NG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3370pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 416W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GP2M013A050F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1798pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M020A050F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2880pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

加入購物車更新到購物車

GP2M020A050H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2880pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

加入購物車更新到購物車

GP2M020A050N

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2880pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 312W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GP2M020A060N

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3184pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 347W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GP2M023A050N

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3270pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 347W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

加入購物車更新到購物車

GWS4618L

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH LGA

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

加入購物車更新到購物車

H5N2007LSTL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH HS SW TO-263

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

加入購物車更新到購物車