Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

GP2M010A060H

GP2M010A060H

僅供參考

型號 GP2M010A060H
PNEDA編號 GP2M010A060H
描述 MOSFET N-CH 600V 10A TO220
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP2M010A060H資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP2M010A060H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GP2M010A060H, GP2M010A060H數據表 (總頁數: 7, 大小: 406.25 KB)
PDFGP2M010A060F數據表 封面
GP2M010A060F數據表 頁面 2 GP2M010A060F數據表 頁面 3 GP2M010A060F數據表 頁面 4 GP2M010A060F數據表 頁面 5 GP2M010A060F數據表 頁面 6 GP2M010A060F數據表 頁面 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • GP2M010A060H Datasheet
  • where to find GP2M010A060H
  • Global Power Technologies Group

  • Global Power Technologies Group GP2M010A060H
  • GP2M010A060H PDF Datasheet
  • GP2M010A060H Stock

  • GP2M010A060H Pinout
  • Datasheet GP2M010A060H
  • GP2M010A060H Supplier

  • Global Power Technologies Group Distributor
  • GP2M010A060H Price
  • GP2M010A060H Distributor

GP2M010A060H規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)198W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

您可能感興趣的產品

IRFL9014PBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-223

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

STWA88N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

204nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8825pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247

包裝/箱

TO-247-3

BSC093N04LSGATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TDSON-8-5

包裝/箱

8-PowerTDFN

DMJ70H1D3SI3

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

351pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-251

包裝/箱

TO-251-3 Stub Leads, IPak

CSD25301W1015

Texas Instruments

制造商

系列

NexFET™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-DSBGA (1x1.5)

包裝/箱

6-UFBGA, DSBGA

最近成交

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

PIC12F1612-I/SN

PIC12F1612-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

ST3485EBDR

ST3485EBDR

STMicroelectronics

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

DF10S-T

DF10S-T

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

GRM31A5C2J100JW01D

GRM31A5C2J100JW01D

Murata

CAP CER 10PF 630V C0G/NP0 1206

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

BZ-2RDT

BZ-2RDT

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

AOZ8903CI

AOZ8903CI

Alpha & Omega Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 7V SOT23-6