晶體管

型號	描述	庫存
HAT2172H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,500
HAT2173H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,068
HAT2173HWS-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH LFPAK-5 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,454
HAT2174H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2280pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,442
HAT2175H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1445pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,060
HAT2185WPWS-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-PAK WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存3,096
HAT2192WP-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 10A WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存5,760
HAT2197R-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,330
HAT2256RWS-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-PAK 8SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,228
HAT2261H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,838
HAT2266H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 23W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存5,472
HAT2266HWS-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-PAK 8SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 23W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,212
HAT2267H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存7,974
HAT2279H-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存2,646
HAT2279HWS-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-PAK 8SOP 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-LFPAK 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存2,178
HAT2287WP-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存3,562
HAT2299WP-EL-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-WPAK 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存6,534
HCT7000M TT Electronics/Optek Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD 制造商: TT Electronics/Optek Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SMD 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存3,456
HCT7000MTX TT Electronics/Optek Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD 制造商: TT Electronics/Optek Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SMD 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存6,498
HCT7000MTXV TT Electronics/Optek Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD 制造商: TT Electronics/Optek Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SMD 包裝/箱: 3-SMD, No Lead	庫存4,338
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 0.1A USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USV 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	庫存2,376
HRF3205 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 175W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,508
HRFZ44N ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 20V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,806
HS54095TZ-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 66pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body	庫存5,580
HTNFET-D Honeywell Aerospace	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 8-DIP 制造商: Honeywell Aerospace 系列: HTMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 8-CDIP-EP 包裝/箱: 8-CDIP Exposed Pad	庫存2,988
HTNFET-DC Honeywell Aerospace	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 8-DIP 制造商: Honeywell Aerospace 系列: HTMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tj) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: - 包裝/箱: 8-CDIP Exposed Pad	庫存4,824
HTNFET-T Honeywell Aerospace	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 4-PIN 制造商: Honeywell Aerospace 系列: HTMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-Power Tab 包裝/箱: 4-SIP	庫存2,214
HTNFET-TC Honeywell Aerospace	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 4-PIN 制造商: Honeywell Aerospace 系列: HTMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tj) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,946
HUF75229P3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 20V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,470
HUF75307D3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 15A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,454

HAT2172H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,500

HAT2173H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,068

HAT2173HWS-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH LFPAK-5

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,454

HAT2174H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2280pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,442

HAT2175H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1445pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,060

HAT2185WPWS-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-PAK WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存3,096

HAT2192WP-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 10A WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存5,760

HAT2197R-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,330

HAT2256RWS-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-PAK 8SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,228

HAT2261H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,838

HAT2266H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 23W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存5,472

HAT2266HWS-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-PAK 8SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 23W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,212

HAT2267H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存7,974

HAT2279H-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存2,646

HAT2279HWS-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-PAK 8SOP

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-LFPAK
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存2,178

HAT2287WP-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存3,562

HAT2299WP-EL-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-WPAK
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存6,534

HCT7000M

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

制造商: TT Electronics/Optek Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SMD
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存3,456

HCT7000MTX

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

制造商: TT Electronics/Optek Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SMD
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存6,498

HCT7000MTXV

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

制造商: TT Electronics/Optek Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SMD
包裝/箱: 3-SMD, No Lead

庫存4,338

HN4K03JUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USV
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

庫存2,376

HRF3205

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 175W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,508

HRFZ44N

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 20V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,806

HS54095TZ-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 66pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body

庫存5,580

HTNFET-D

Honeywell Aerospace

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

制造商: Honeywell Aerospace
系列: HTMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 8-CDIP-EP
包裝/箱: 8-CDIP Exposed Pad

庫存2,988

HTNFET-DC

Honeywell Aerospace

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

制造商: Honeywell Aerospace
系列: HTMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tj)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: -
包裝/箱: 8-CDIP Exposed Pad

庫存4,824

HTNFET-T

Honeywell Aerospace

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 4-PIN

制造商: Honeywell Aerospace
系列: HTMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-Power Tab
包裝/箱: 4-SIP

庫存2,214

HTNFET-TC

Honeywell Aerospace

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 4-PIN

制造商: Honeywell Aerospace
系列: HTMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 28V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tj)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,946

HUF75229P3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 20V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,470

HUF75307D3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,454

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