晶體管

型號	描述	庫存
FQA24N50F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,524
FQA24N50_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,838
FQA24N50F_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,762
FQA24N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,108
FQA27N25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存12,324
FQA28N15 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存15,588
FQA28N15_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,508
FQA28N50 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,870
FQA28N50F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存4,032
FQA28N50_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存5,328
FQA30N40 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存9,504
FQA32N20C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 204W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,406
FQA33N10 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 163W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存2,376
FQA33N10L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 163W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,694
FQA34N20 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,678
FQA34N20L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,722
FQA34N25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 245W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,156
FQA35N40 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存4,554
FQA36P15 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 294W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存16,452
FQA36P15_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 294W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,020
FQA38N30 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,336
FQA40N25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 280W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,380
FQA44N08 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 24.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 163W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存2,664
FQA44N10 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,992
FQA44N30 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PN 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存9,708
FQA46N15 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存18,408
FQA46N15_F109 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存4,878
FQA47P06 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,510
FQA48N20 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 280W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,300
FQA55N10 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存5,976

FQA24N50F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,524

FQA24N50_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,838

FQA24N50F_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,762

FQA24N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,108

FQA27N25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存12,324

FQA28N15

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存15,588

FQA28N15_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,508

FQA28N50

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,870

FQA28N50F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存4,032

FQA28N50_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存5,328

FQA30N40

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存9,504

FQA32N20C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 204W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,406

FQA33N10

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 163W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存2,376

FQA33N10L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 163W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,694

FQA34N20

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,678

FQA34N20L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,722

FQA34N25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 245W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,156

FQA35N40

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存4,554

FQA36P15

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 294W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存16,452

FQA36P15_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 294W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,020

FQA38N30

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,336

FQA40N25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,380

FQA44N08

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 163W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存2,664

FQA44N10

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,992

FQA44N30

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PN
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存9,708

FQA46N15

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存18,408

FQA46N15_F109

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存4,878

FQA47P06

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,510

FQA48N20

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 280W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,300

FQA55N10

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存5,976

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