晶體管

型號	描述	庫存
FQAF40N25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 108W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,400
FQAF44N08 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 17.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,202
FQAF44N10 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存2,538
FQAF47P06 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,904
FQAF58N08 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,524
FQAF5N90 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,272
FQAF65N06 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存3,294
FQAF6N80 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存6,660
FQAF6N90 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存8,010
FQAF70N15 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存8,928
FQAF7N80 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,922
FQAF7N90 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存3,294
FQAF8N80 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存8,856
FQAF90N08 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存6,300
FQAF9N50 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存2,214
FQAF9P25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3.55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PF 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存5,706
FQB10N20CTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 72W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,776
FQB10N20LTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 87W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,736
FQB10N20TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,300
FQB10N50CFTM-WS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 10A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, QFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 143W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存15,876
FQB10N60CTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,742
FQB11N40CTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,382
FQB11N40TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 147W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,254
FQB11P06TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存15,384
FQB12N50TM_AM002 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 179W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,564
FQB12N60CTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 225W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,156
FQB12N60TM_AM002 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,240
FQB12P10TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,272
FQB12P20TM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存25,302
FQB13N06LTM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,156

FQAF40N25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 108W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,400

FQAF44N08

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,202

FQAF44N10

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存2,538

FQAF47P06

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,904

FQAF58N08

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,524

FQAF5N90

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,272

FQAF65N06

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存3,294

FQAF6N80

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存6,660

FQAF6N90

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存8,010

FQAF70N15

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存8,928

FQAF7N80

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,922

FQAF7N90

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存3,294

FQAF8N80

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存8,856

FQAF90N08

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存6,300

FQAF9N50

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存2,214

FQAF9P25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3.55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PF
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存5,706

FQB10N20CTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 72W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,776

FQB10N20LTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 87W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,736

FQB10N20TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,300

FQB10N50CFTM-WS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, QFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 143W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存15,876

FQB10N60CTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,742

FQB11N40CTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,382

FQB11N40TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 147W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,254

FQB11P06TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存15,384

FQB12N50TM_AM002

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 179W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,564

FQB12N60CTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 225W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,156

FQB12N60TM_AM002

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,240

FQB12P10TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,272

FQB12P20TM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存25,302

FQB13N06LTM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,156

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