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晶體管

記錄 64,903
頁面 1213/2164
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型號
描述
庫存
數量
FKI10198
FKI10198

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 31A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 17.8mOhm @ 23.4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 55.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3990pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存4,662
FKI10300
FKI10300

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 23A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 27.9mOhm @ 17.1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 650µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 35.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2540pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 38W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,730
FKI10531
FKI10531

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 18A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 48mOhm @ 11.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 350µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1530pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 32W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存5,238
FKP202
FKP202

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 53mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,622
FKP250A
FKP250A

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 43mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
庫存5,400
FKP252
FKP252

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 25A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存3,276
FKP253
FKP253

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,550
FKP280A
FKP280A

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 280V 40A TO-3PF

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 280V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 53mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3PF
  • 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
庫存7,236
FKP300A
FKP300A

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 30A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3PF
  • 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
庫存8,514
FKP330C
FKP330C

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 330V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 30A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 63mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
庫存2,736
FKV550N
FKV550N

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2000pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 35W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存4,410
FKV550T
FKV550T

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2700pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 35W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,982
FKV575
FKV575

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 75A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10mOhm @ 37A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3200pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存33,036
FL5252050R
FL5252050R

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-74A

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 400pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 600mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: Mini5-G3-B
  • 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
庫存6,012
FL6L52010L
FL6L52010L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8 V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 300pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSSMini6-F1
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存3,852
FL6L52030L
FL6L52030L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 80pF @ 10V
  • FET功能: Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSSMini6-F1
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存8,442
FL6L52060L
FL6L52060L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A MINI6-F1

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8 V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 300pF @ 10V
  • FET功能: Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSSMini6-F1
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存2,736
FL6L52070L
FL6L52070L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 80pF @ 10V
  • FET功能: Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSSMini6-F1
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存8,820
FM6K62010L
FM6K62010L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A SC113DA

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 105mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 280pF @ 10V
  • FET功能: Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值): 700mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSMini6-F1-B
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存6,840
FM6L52020L
FM6L52020L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F1

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 105mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 280pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: WSSMini6-F1
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
庫存6,228
FMD15-06KC5

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5

  • 制造商: IXYS
  • 系列: CoolMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 15A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 790µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2000pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
  • 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
庫存5,598
FMD21-05QC
FMD21-05QC

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 21A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
  • 包裝/箱: i4-Pac™-5
庫存8,442
FMD40-06KC
FMD40-06KC

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

  • 制造商: IXYS
  • 系列: HiPerFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 38A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.9V @ 2.7mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 250nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
  • 包裝/箱: i4-Pac™-5
庫存5,112
FMD47-06KC5

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5

  • 制造商: IXYS
  • 系列: CoolMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 47A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 3mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6800pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
  • 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
庫存7,956
FMD80-0045PS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 150A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.9mOhm @ 110A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 86nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
  • 包裝/箱: i4-Pac™-5
庫存3,078
FQ7N10
FQ7N10

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

DIE MOSFET N-CH 100V

  • 制造商: MICROSS/On Semiconductor
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 供應商設備包裝: -
  • 包裝/箱: -
庫存7,290
FQA10N60C
FQA10N60C

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: QFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2040pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 192W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存7,956
FQA10N80
FQA10N80

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: QFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9.8A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 240W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存4,824
FQA10N80C
FQA10N80C

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: QFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 240W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存8,856
FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: QFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 240W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存8,676