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描述
庫存
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IS61LPS25636A-200B3LI
IS61LPS25636A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,290
IS61LPS25636A-200B3LI-TR
IS61LPS25636A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,362
IS61LPS25636A-200TQ2I
IS61LPS25636A-200TQ2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存7,740
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,966
IS61LPS25636A-200TQ2LI
IS61LPS25636A-200TQ2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存3,402
IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR
IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,174
IS61LPS25636A-200TQI
IS61LPS25636A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,406
IS61LPS25636A-200TQI-TR
IS61LPS25636A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,166
IS61LPS25636A-200TQLI
IS61LPS25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存3,543
IS61LPS25636A-200TQLI-TR
IS61LPS25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
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  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存3,472
IS61LPS25636B-200TQLI
IS61LPS25636B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
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  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存6,588
IS61LPS25636B-200TQLI-TR
IS61LPS25636B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
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  • 訪問時間: 3.1ns
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  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存2,466
IS61LPS25672A-250B1
IS61LPS25672A-250B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存2,862
IS61LPS25672A-250B1-TR
IS61LPS25672A-250B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存6,570
IS61LPS409618B-200TQLI
IS61LPS409618B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存6,084
IS61LPS409618B-200TQLI-TR
IS61LPS409618B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 72Mb (4M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存430
IS61LPS51218A-200TQI
IS61LPS51218A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,760
IS61LPS51218A-200TQI-TR
IS61LPS51218A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,784
IS61LPS51218A-200TQLI
IS61LPS51218A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,588
IS61LPS51218A-200TQLI-TR
IS61LPS51218A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
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  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,660
IS61LPS51218B-200TQLI
IS61LPS51218B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存5,742
IS61LPS51218B-200TQLI-TR
IS61LPS51218B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存7,758
IS61LPS51236A-200B3
IS61LPS51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,032
IS61LPS51236A-200B3I
IS61LPS51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存6,786
IS61LPS51236A-200B3I-TR
IS61LPS51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,780
IS61LPS51236A-200B3LI
IS61LPS51236A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,544
IS61LPS51236A-200B3LI-TR
IS61LPS51236A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,042
IS61LPS51236A-200B3-TR
IS61LPS51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,974
IS61LPS51236A-200TQI
IS61LPS51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存2,988
IS61LPS51236A-200TQI-TR
IS61LPS51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存2,934