Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 908/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
IS61LP6432A-133TQ
IS61LP6432A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,806
IS61LP6432A-133TQLI
IS61LP6432A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存7,488
IS61LP6432A-133TQLI-TR
IS61LP6432A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,508
IS61LP6432A-133TQ-TR
IS61LP6432A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,544
IS61LP6436A-133TQ
IS61LP6436A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,914
IS61LP6436A-133TQLI
IS61LP6436A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,950
IS61LP6436A-133TQLI-TR
IS61LP6436A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,860
IS61LP6436A-133TQ-TR
IS61LP6436A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 2Mb (64K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,388
IS61LPD102418A-200B3I
IS61LPD102418A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存7,920
IS61LPD102418A-200B3I-TR
IS61LPD102418A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存6,390
IS61LPD102418A-200TQI
IS61LPD102418A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存7,866
IS61LPD102418A-200TQI-TR
IS61LPD102418A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,478
IS61LPD102418A-250B3
IS61LPD102418A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存3,222
IS61LPD102418A-250B3I
IS61LPD102418A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存4,932
IS61LPD102418A-250B3I-TR
IS61LPD102418A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存8,244
IS61LPD102418A-250B3-TR
IS61LPD102418A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (1M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存8,676
IS61LPD25636A-200TQLI
IS61LPD25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,028
IS61LPD25636A-200TQLI-TR
IS61LPD25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存7,056
IS61LPD51236A-200B3
IS61LPD51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存7,182
IS61LPD51236A-200B3I
IS61LPD51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存2,556
IS61LPD51236A-200B3I-TR
IS61LPD51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存4,968
IS61LPD51236A-200B3-TR
IS61LPD51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存8,244
IS61LPD51236A-200TQI
IS61LPD51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,426
IS61LPD51236A-200TQI-TR
IS61LPD51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,364
IS61LPD51236A-200TQLI
IS61LPD51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存5,742
IS61LPD51236A-200TQLI-TR
IS61LPD51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存2,448
IS61LPD51236A-250B3
IS61LPD51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存8,946
IS61LPD51236A-250B3I
IS61LPD51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存5,400
IS61LPD51236A-250B3I-TR
IS61LPD51236A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Quad Port, Synchronous
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存4,932
IS61LPD51236A-250B3LI
IS61LPD51236A-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-PBGA (13x15)
庫存5,418