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描述
庫存
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IS61LPS51236A-200TQLI
IS61LPS51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存3,912
IS61LPS51236A-200TQLI-TR
IS61LPS51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,064
IS61LPS51236A-250B3
IS61LPS51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存8,046
IS61LPS51236A-250B3I
IS61LPS51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存8,352
IS61LPS51236A-250B3I-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存2,610
IS61LPS51236A-250B3LI
IS61LPS51236A-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,038
IS61LPS51236A-250B3LI-TR
IS61LPS51236A-250B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
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  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,446
IS61LPS51236A-250B3-TR
IS61LPS51236A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
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  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,194
IS61LPS51236B-200B3LI
IS61LPS51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,308
IS61LPS51236B-200B3LI-TR
IS61LPS51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,536
IS61LPS51236B-200TQLI
IS61LPS51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存8,352
IS61LPS51236B-200TQLI-TR
IS61LPS51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存5,940
IS61LV10248-10T-TR
IS61LV10248-10T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 8Mb (1M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存7,902
IS61LV12816L-10BI
IS61LV12816L-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 48-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)
庫存7,524
IS61LV12816L-10BI-TR
IS61LV12816L-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 48-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)
庫存5,832
IS61LV12816L-10BLI
IS61LV12816L-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 48-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)
庫存21,815
IS61LV12816L-10BLI-TR
IS61LV12816L-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 48-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)
庫存5,022
IS61LV12816L-10LQI
IS61LV12816L-10LQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-LQFP
  • 供應商設備包裝: 44-LQFP (10x10)
庫存5,958
IS61LV12816L-10LQI-TR
IS61LV12816L-10LQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-LQFP
  • 供應商設備包裝: 44-LQFP (10x10)
庫存4,698
IS61LV12816L-10LQLI
IS61LV12816L-10LQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-LQFP
  • 供應商設備包裝: 44-LQFP (10x10)
庫存4,230
IS61LV12816L-10LQLI-TR
IS61LV12816L-10LQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-LQFP
  • 供應商設備包裝: 44-LQFP (10x10)
庫存2,628
IS61LV12816L-10TI
IS61LV12816L-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存2,412
IS61LV12816L-10TI-TR
IS61LV12816L-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存6,606
IS61LV12816L-10TL
IS61LV12816L-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存1,114
IS61LV12816L-10TLI
IS61LV12816L-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存2,365
IS61LV12816L-10TLI-TR
IS61LV12816L-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存4,284
IS61LV12816L-10TL-TR
IS61LV12816L-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存4,230
IS61LV12816L-8TL
IS61LV12816L-8TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 8ns
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存3,996
IS61LV12816L-8TL-TR
IS61LV12816L-8TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 2Mb (128K x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 8ns
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 44-TSOP II
庫存5,004
IS61LV12824-10B
IS61LV12824-10B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Asynchronous
  • 內存大小: 3Mb (128K x 24)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: 10ns
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,194