Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 883/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
IS45S16320D-7BLA2-TR
IS45S16320D-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存5,436
IS45S16320D-7CTLA1
IS45S16320D-7CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,012
IS45S16320D-7CTLA1-TR
IS45S16320D-7CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,084
IS45S16320D-7CTLA2
IS45S16320D-7CTLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,952
IS45S16320D-7CTLA2-TR
IS45S16320D-7CTLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,060
IS45S16320D-7TLA1
IS45S16320D-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,472
IS45S16320D-7TLA1-TR
IS45S16320D-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,768
IS45S16320D-7TLA2
IS45S16320D-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,658
IS45S16320D-7TLA2-TR
IS45S16320D-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,140
IS45S16320F-6BLA1
IS45S16320F-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存4,644
IS45S16320F-6BLA1-TR
IS45S16320F-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存7,938
IS45S16320F-6CTLA1
IS45S16320F-6CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,798
IS45S16320F-6CTLA1-TR
IS45S16320F-6CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,866
IS45S16320F-6TLA1
IS45S16320F-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,658
IS45S16320F-6TLA1-TR
IS45S16320F-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 167MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,076
IS45S16320F-7BLA1
IS45S16320F-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存7,416
IS45S16320F-7BLA1-TR
IS45S16320F-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存7,740
IS45S16320F-7BLA2
IS45S16320F-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存3,507
IS45S16320F-7BLA2-TR
IS45S16320F-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)
庫存2,268
IS45S16320F-7CTLA1
IS45S16320F-7CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,894
IS45S16320F-7CTLA1-TR
IS45S16320F-7CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,580
IS45S16320F-7CTLA2
IS45S16320F-7CTLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,006
IS45S16320F-7CTLA2-TR
IS45S16320F-7CTLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,254
IS45S16320F-7TLA1
IS45S16320F-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存2,556
IS45S16320F-7TLA1-TR
IS45S16320F-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,822
IS45S16320F-7TLA2
IS45S16320F-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,768
IS45S16320F-7TLA2-TR
IS45S16320F-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 143MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,712
IS45S16400F-6BLA1
IS45S16400F-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,074
IS45S16400F-6BLA1-TR
IS45S16400F-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,948
IS45S16400F-6TLA1
IS45S16400F-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,830