內存IC

型號	描述	庫存
IS43TR82560CL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)	庫存2,376
IS43TR82560CL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)	庫存5,166
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)	庫存7,416
IS43TR82560CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 2Gb (256M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)	庫存4,104
IS43TR82560D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,732
IS43TR85120A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存10,524
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IS43TR85120A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存2,970
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IS43TR85120A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存7,110
IS43TR85120A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存6,714
IS43TR85120A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存8,334
IS43TR85120AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存7,974
IS43TR85120AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存16,044
IS43TR85120AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存5,526
IS43TR85120AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 800MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存3,006
IS43TR85120AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存3,436
IS43TR85120AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存4,176
IS43TR85120AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存2,100
IS43TR85120AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR3L 內存大小: 4Gb (512M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 667MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 78-TFBGA 供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)	庫存7,200
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IS45S16100C1-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-MiniBGA (6.4x10.1)	庫存4,518
IS45S16100C1-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 50-TSOP II	庫存6,300
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IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)	庫存2,394
IS45S16100E-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)	庫存6,426
IS45S16100E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 50-TSOP II	庫存8,388
IS45S16100E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 50-TSOP II	庫存8,046
IS45S16100H-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 16Mb (1M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)	庫存8,910

IS43TR82560CL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

庫存2,376

IS43TR82560CL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

庫存5,166

IS43TR82560CL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

庫存7,416

IS43TR82560CL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 2Gb (256M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

庫存4,104

IS43TR82560D-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: *
內存類型: -
內存格式: -
技術: -
內存大小: -
內存接口: -
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,732

IS43TR85120A-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存10,524

IS43TR85120A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存7,830

IS43TR85120A-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存2,970

IS43TR85120A-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存5,652

IS43TR85120A-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存8,874

IS43TR85120A-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存7,110

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存6,714

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內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存8,334

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存7,974

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存16,044

IS43TR85120AL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存5,526

IS43TR85120AL-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 800MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存3,006

IS43TR85120AL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存3,436

IS43TR85120AL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存4,176

IS43TR85120AL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存2,100

IS43TR85120AL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR3L
內存大小: 4Gb (512M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 667MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 78-TFBGA
供應商設備包裝: 78-TWBGA (9x10.5)

庫存7,200

IS45S16100C1-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-MiniBGA (6.4x10.1)

庫存6,552

IS45S16100C1-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-MiniBGA (6.4x10.1)

庫存4,518

IS45S16100C1-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 50-TSOP II

庫存6,300

IS45S16100C1-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 50-TSOP II

庫存2,100

IS45S16100E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)

庫存2,394

IS45S16100E-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)

庫存6,426

IS45S16100E-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 50-TSOP II

庫存8,388

IS45S16100E-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 50-TSOP II

庫存8,046

IS45S16100H-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 16Mb (1M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (6.4x10.1)

庫存8,910

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