內存IC

型號	描述	庫存
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IS45S16800F-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存4,374
IS45S16800F-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 143MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 5.4ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存6,174

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存2,790

IS45S16800E-6BLA1

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存3,454

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存4,644

IS45S16800E-6TLA1

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存5,094

IS45S16800E-6TLA1-TR

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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存2,916

IS45S16800E-7BLA1

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存4,338

IS45S16800E-7BLA1-TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存8,442

IS45S16800E-7BLA2

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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存2,592

IS45S16800E-7BLA2-TR

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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存6,714

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存8,586

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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供應商設備包裝: 54-TSOP II

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內存類型: Volatile
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技術: SDRAM
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系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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內存類型: Volatile
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技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存3,508

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存2,844

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

庫存4,482

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存4,968

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存7,074

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存7,380

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存3,672

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存7,506

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制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

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制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

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