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IS43TR81280BL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.283V ~ 1.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 800MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 78-TFBGA
• 供應商設備包裝: 78-TWBGA (8x10.5)

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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
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• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
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• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR3
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 667MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.425V ~ 1.575V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
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• 技術: SDRAM - DDR3L
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
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• 寫周期-字，頁: 15ns
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