內存IC

IS43LD32640B-25BPL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• 內存大小: 2Gb (64M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-VFBGA
• 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LR16160F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16160F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16160F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16160G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16160G-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200C-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200C-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16200D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320B-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320B-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320C-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16320C-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16400B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 64Mb (4M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16400B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 64Mb (4M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16400C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 64Mb (4M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 64Mb (4M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

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IS43LR16640A-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 1Gb (64M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10)

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