內存IC

型號	描述	庫存
EDY4016AABG-GX-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR4 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.33GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存4,428
EDY4016AABG-GX-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR4 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.33GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存6,012
EDY4016AABG-JD-F-D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR4 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.6GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存5,022
EDY4016AABG-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR4 內存大小: 4Gb (256M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 1.6GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 96-TFBGA 供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)	庫存2,178
EM-10 16GB I-GRADE Swissbit	內存 IND EMBEDDED MMC EM-10 16 GB MLC 制造商: Swissbit 系列: EM-10 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND (MLC) 內存大小: 16GB 內存接口: eMMC 時鐘頻率: 52MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 153-VFBGA 供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)	庫存2,430
EM-10 4GB I-GRADE Swissbit	內存 IND EMBEDDED MMC EM-10 4 GB MLC 制造商: Swissbit 系列: EM-10 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND (MLC) 內存大小: 4GB 內存接口: eMMC 時鐘頻率: 52MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 153-VFBGA 供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)	庫存6,858
EM-10 8GB I-GRADE Swissbit	內存 IND EMBEDDED MMC EM-10 8 GB MLC 制造商: Swissbit 系列: EM-10 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND (MLC) 內存大小: 8GB 內存接口: eMMC 時鐘頻率: 52MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 153-VFBGA 供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)	庫存7,794
EM639165BM-5H Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)	庫存6,498
EM639165BM-5IH Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)	庫存3,544
EM639165TS-5G Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存5,256
EM639165TS-5IG Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存3,438
EM63A165BM-5H Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)	庫存8,280
EM63A165BM-5IH Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TFBGA 供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)	庫存6,912
EM63A165TS-5G Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存5,688
EM63A165TS-5IG Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存5,346
EM63B165TS-5ISG Etron Technology, Inc.	內存 512MB 32MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存3,816
EM63B165TS-5SG Etron Technology, Inc.	內存 512MB 32MX16 SDRAM 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 4.5ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 54-TSOP II	庫存5,796
EM68A16CBQC-25H Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存6,390
EM68A16CBQC-25IH Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存6,300
EM68B08CWAH-25H Etron Technology, Inc.	內存 512MB 64MX8 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存2,700
EM68B08CWAH-25IH Etron Technology, Inc.	內存 512MB 64MX8 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)	庫存4,878
EM68B16CWQK-25H Etron Technology, Inc.	內存 512MB 32MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存6,174
EM68B16CWQK-25IH Etron Technology, Inc.	內存 512MB 32MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512M (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存3,474
EM68C16CWQG-25H Etron Technology, Inc.	內存 1GB 64MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存4,518
EM68C16CWQG-25IH Etron Technology, Inc.	內存 1GB 64MX16 DDR2 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存4,698
EM6A9160TSC-4G Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 DDR 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP II	庫存4,644
EM6A9160TSC-4IG Etron Technology, Inc.	內存 128MB 8MX16 DDR 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 128Mb (8M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP II	庫存5,328
EM6AA160BKE-4H Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 DDR 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x13)	庫存6,462
EM6AA160BKE-4IH Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 DDR 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x13)	庫存7,704
EM6AA160TSE-4G Etron Technology, Inc.	內存 256MB 16MX16 DDR 制造商: Etron Technology, Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR 內存大小: 256Mb (16M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 700ps 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 66-TSOP II	庫存3,672

EDY4016AABG-GX-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR4
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1.33GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存4,428

EDY4016AABG-GX-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR4
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1.33GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存6,012

EDY4016AABG-JD-F-D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR4
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1.6GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存5,022

EDY4016AABG-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR4
內存大小: 4Gb (256M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 1.6GHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 96-TFBGA
供應商設備包裝: 96-FBGA (7.5x13.5)

庫存2,178

EM-10 16GB I-GRADE

Swissbit

內存

IND EMBEDDED MMC EM-10 16 GB MLC

制造商: Swissbit
系列: EM-10
內存類型: Non-Volatile
內存格式: FLASH
技術: FLASH - NAND (MLC)
內存大小: 16GB
內存接口: eMMC
時鐘頻率: 52MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 153-VFBGA
供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)

庫存2,430

EM-10 4GB I-GRADE

Swissbit

內存

IND EMBEDDED MMC EM-10 4 GB MLC

制造商: Swissbit
系列: EM-10
內存類型: Non-Volatile
內存格式: FLASH
技術: FLASH - NAND (MLC)
內存大小: 4GB
內存接口: eMMC
時鐘頻率: 52MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 153-VFBGA
供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)

庫存6,858

EM-10 8GB I-GRADE

Swissbit

內存

IND EMBEDDED MMC EM-10 8 GB MLC

制造商: Swissbit
系列: EM-10
內存類型: Non-Volatile
內存格式: FLASH
技術: FLASH - NAND (MLC)
內存大小: 8GB
內存接口: eMMC
時鐘頻率: 52MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 153-VFBGA
供應商設備包裝: 153-BGA (11.5x13)

庫存7,794

EM639165BM-5H

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)

庫存6,498

EM639165BM-5IH

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)

庫存3,544

EM639165TS-5G

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存5,256

EM639165TS-5IG

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存3,438

EM63A165BM-5H

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)

庫存8,280

EM63A165BM-5IH

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TFBGA
供應商設備包裝: 54-FBGA (8x8)

庫存6,912

EM63A165TS-5G

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存5,688

EM63A165TS-5IG

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存5,346

EM63B165TS-5ISG

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 32MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存3,816

EM63B165TS-5SG

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 32MX16 SDRAM

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 4.5ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 54-TSOP II

庫存5,796

EM68A16CBQC-25H

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存6,390

EM68A16CBQC-25IH

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存6,300

EM68B08CWAH-25H

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 64MX8 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存2,700

EM68B08CWAH-25IH

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 64MX8 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x10)

庫存4,878

EM68B16CWQK-25H

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 32MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存6,174

EM68B16CWQK-25IH

Etron Technology, Inc.

內存

512MB 32MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512M (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存3,474

EM68C16CWQG-25H

Etron Technology, Inc.

內存

1GB 64MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存4,518

EM68C16CWQG-25IH

Etron Technology, Inc.

內存

1GB 64MX16 DDR2

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存4,698

EM6A9160TSC-4G

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 DDR

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP II

庫存4,644

EM6A9160TSC-4IG

Etron Technology, Inc.

內存

128MB 8MX16 DDR

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 128Mb (8M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP II

庫存5,328

EM6AA160BKE-4H

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 DDR

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x13)

庫存6,462

EM6AA160BKE-4IH

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 DDR

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x13)

庫存7,704

EM6AA160TSE-4G

Etron Technology, Inc.

內存

256MB 16MX16 DDR

制造商: Etron Technology, Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR
內存大小: 256Mb (16M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 700ps
電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 66-TSOP II

庫存3,672

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