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2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E

僅供參考

型號 2SC5415AF-TD-E
PNEDA編號 2SC5415AF-TD-E
描述 RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5415AF-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5415AF-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5415AF-TD-E, 2SC5415AF-TD-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 289.92 KB)
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2SC5415AF-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡6.7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益9dB
功率-最大800mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

增益

11dB ~ 15.5dB

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Renesas Electronics America Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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