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DPBT8105-7

DPBT8105-7 DPBT8105-7

僅供參考

型號 DPBT8105-7
PNEDA編號 DPBT8105-7
描述 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 338,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DPBT8105-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DPBT8105-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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DPBT8105-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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