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2SC5415AE-TD-E數據表

2SC5415AE-TD-E數據表
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ON Semiconductor
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2SC5415AE-TD-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

800mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

PCP

2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

800mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

PCP