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型號	描述	庫存
SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V 功率-最大: 20W, 33W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存258
CSD85302L Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFLGA 供應商設備包裝: 4-Picostar (1.31x1.31)	庫存44,002
DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V 功率-最大: 2.8W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存1,440
SH8KA4TB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 15V 功率-最大: 3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存54
AON3611 Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A, 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 15V 功率-最大: 2.1W, 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-DFN (2.9x2.3)	庫存59,104
FDPC8013S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 26A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 827pF @ 15V 功率-最大: 800mW, 900mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: Powerclip-33	庫存271
ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)	庫存1,780
CSD85312Q3E Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 10V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存2,238
FDMB3900AN ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 13V 功率-最大: 800mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)	庫存400,580
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 969pF @ 30V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存109,023
AO6608 Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 15V, 510pF @ 10V 功率-最大: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存230
DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V, 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26.2pF @ 10V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存171
TC8220K6-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-VFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 12-DFN (4x4)	庫存13,458
CSD86330Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 12.5V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)	庫存6,998
FDS89161 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 50V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存499
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V 功率-最大: 29W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存1,585
IRF7329TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存92,250
IRF9358TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存73,791
CSD87381P Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V 功率-最大: 4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)	庫存12,932
2SK1070PICTL-E Renesas Electronics America	晶體管-JFET JFET N-CH MPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-MPAK	庫存2,033
2N5115 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET IC JUNCTION FET P-CH TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存9,603
2N3820 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,510
SST201-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存12,832
J112 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CHAN 35V TO92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存51,587
2SK3796-3-TL-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 200 Ohms 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SMCP	庫存2,924
CMPFJ175 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET IC JFET P-CH SOT23-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 125 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存5,363
CMPF4392 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 50MA SOT23 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,650
TF202THC-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 0.1W VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存147,124
TF262TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存18,857
TF252TH-4A-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存157,398

SIZ904DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
功率-最大: 20W, 33W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存258

CSD85302L

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFLGA
供應商設備包裝: 4-Picostar (1.31x1.31)

庫存44,002

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V
功率-最大: 2.8W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存1,440

SH8KA4TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 15V
功率-最大: 3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存54

AON3611

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: -
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A, 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 15V
功率-最大: 2.1W, 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-DFN (2.9x2.3)

庫存59,104

FDPC8013S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 26A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 827pF @ 15V
功率-最大: 800mW, 900mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: Powerclip-33

庫存271

ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)

庫存1,780

CSD85312Q3E

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 10V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存2,238

FDMB3900AN

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 13V
功率-最大: 800mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

庫存400,580

DMP6110SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 969pF @ 30V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存109,023

AO6608

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 15V, 510pF @ 10V
功率-最大: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存230

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V, 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA, 3.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26.2pF @ 10V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存171

TC8220K6-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 12-DFN (4x4)

庫存13,458

CSD86330Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 12.5V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)

庫存6,998

FDS89161

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 50V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存499

SIZ918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V
功率-最大: 29W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存1,585

IRF7329TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存92,250

IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存73,791

CSD87381P

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V
功率-最大: 4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)

庫存12,932

2SK1070PICTL-E

Renesas Electronics America

晶體管-JFET

JFET N-CH MPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-MPAK

庫存2,033

2N5115

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

IC JUNCTION FET P-CH TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存9,603

2N3820

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 8V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,510

SST201-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存12,832

J112

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CHAN 35V TO92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存51,587

2SK3796-3-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 200 Ohms
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SMCP

庫存2,924

CMPFJ175 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

IC JFET P-CH SOT23-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 125 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存5,363

CMPF4392 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,650

TF202THC-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存147,124

TF262TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存18,857

TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存157,398

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