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型號	描述	庫存
IRF7306PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存412
IRF7104PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6
IRF7910PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存262
IRF5852 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存36,857
IRF9953TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存10,503
IRF9953 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存629
AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: AlphaMOS FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc), 85A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率-最大: 24W, 75W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)	庫存7,858
EFC6612R-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)	庫存12,551
FDZ1905PZ ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 6-WLCSP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 900mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFBGA, WLCSP 供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.0x1.5)	庫存7,466
DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V 功率-最大: 1.9W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8	庫存202
ECH8691-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存34,441
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 功率-最大: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存4,235
EFC2J013NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.8W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-WLCSP (2x1.49)	庫存14,475
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存2,464
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V, 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 3.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.6pF @ 10V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存44,549
DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.4nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 887pF @ 10V 功率-最大: 900mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)	庫存509
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V 功率-最大: 820mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存118
FDME1024NZT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V 功率-最大: 600mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6)	庫存775
TPS1120D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商: 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 840mW 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,677
FDMC7208S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V 功率-最大: 800mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存5,583
ECH8654-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存43,310
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 6V 功率-最大: 660mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-UFQFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-QFN1515-12	庫存949
CSD87503Q3E Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V 功率-最大: 15.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存9
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X3-DSN2718-6	庫存11,129
US6M2GTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A, 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: TUMT6	庫存73
MCH6664-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 82pF @ 10V 功率-最大: 800mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: SC-88FL/MCPH6	庫存22
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V 功率-最大: 770mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3020-8	庫存16,800
EFC6605R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)	庫存9,276
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V 功率-最大: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存2,642
SP8M4FRATB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存810

IRF7306PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存412

IRF7104PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6

IRF7910PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存262

IRF5852

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存36,857

IRF9953TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存10,503

IRF9953

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存629

AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: AlphaMOS
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc), 85A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
功率-最大: 24W, 75W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)

庫存7,858

EFC6612R-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)

庫存12,551

FDZ1905PZ

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 900mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFBGA, WLCSP
供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.0x1.5)

庫存7,466

DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V
功率-最大: 1.9W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8

庫存202

ECH8691-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存34,441

DMC3016LNS-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
功率-最大: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存4,235

EFC2J013NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.8W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-WLCSP (2x1.49)

庫存14,475

DMC1229UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存2,464

DMC25D1UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V, 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 3.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.6pF @ 10V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存44,549

DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.4nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 887pF @ 10V
功率-最大: 900mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)

庫存509

DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V
功率-最大: 820mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存118

FDME1024NZT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
功率-最大: 600mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-MicroFET (1.6x1.6)

庫存775

TPS1120D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

制造商:
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 840mW
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,677

FDMC7208S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V
功率-最大: 800mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存5,583

ECH8654-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存43,310

DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 6V
功率-最大: 660mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-UFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-QFN1515-12

庫存949

CSD87503Q3E

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V
功率-最大: 15.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存9

DMN1006UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X3-DSN2718-6

庫存11,129

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A, 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: TUMT6

庫存73

MCH6664-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 82pF @ 10V
功率-最大: 800mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: SC-88FL/MCPH6

庫存22

DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V
功率-最大: 770mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3020-8

庫存16,800

EFC6605R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)

庫存9,276

DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
功率-最大: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存2,642

SP8M4FRATB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 7A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存810

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