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DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

僅供參考

型號 DMTH6010LPD-13
PNEDA編號 DMTH6010LPD-13
描述 MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
制造商 Diodes Incorporated
單價
1 ---------- $7.0550
100 ---------- $6.7243
250 ---------- $6.3936
500 ---------- $6.0629
750 ---------- $5.7873
1,000 ---------- $5.5117
庫存 1,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6010LPD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6010LPD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMTH6010LPD-13, DMTH6010LPD-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 315.74 KB)
PDFDMTH6010LPD-13數據表 封面
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DMTH6010LPD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2615pF @ 30V
功率-最大2.8W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PowerDI5060-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 17A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 20V

功率-最大

1.3W

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

125mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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