SP8M4FRATB
僅供參考
| 型號 | SP8M4FRATB | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SP8M4FRATB | ||||||||||||||||||
| 描述 | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 810 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
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SP8M4FRATB資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SP8M4FRATB |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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SP8M4FRATB規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET類型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 9A (Ta), 7A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 15nC @ 5V, 25nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V |
| 功率-最大 | 2W |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SOP |
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