晶體管

2N7002AQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 180MA SOT23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002 BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: 40V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002BK,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002BKM,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 450mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

加入購物車更新到購物車

2N7002BKMB,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 450mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3
• 包裝/箱: 3-XFDFN

加入購物車更新到購物車

2N7002BKT,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 290mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 260mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SC-75
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416

加入購物車更新到購物車

2N7002BKVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002BKW,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 275mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SC-70
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323

加入購物車更新到購物車

2N7002CK,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002CKVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002-D87Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 5V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 385mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.69nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 830mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.22nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E-7-G

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SOT23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

加入購物車更新到購物車

2N7002E-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 5V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002ET1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26.7pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 300mW (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002E-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 5V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002ET3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26.7pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 300mW (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002ET7G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NFET SOT23 60V 115MA 7MO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.81nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 300mW (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002F,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 475mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.69nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 830mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002-G

Comchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

• 制造商: Comchip Technology
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002H-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: OptiMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23-3
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002H-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 370mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002-HF

Comchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

• 制造商: Comchip Technology
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

2N7002K

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

加入購物車更新到購物車