晶體管

型號	描述	庫存
VRF191 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 100V 額定電流（安培）: 12A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 270V 包裝/箱: T11 供應商設備包裝: T11	庫存2,232
VRF191MP Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 頻率: - 增益: - 電壓-測試: - 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: - 功率-輸出: - 電壓-額定: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,338
VRF2933 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 150MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 2mA 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 170V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存370
VRF2933FL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 42A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 170V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存8,136
VRF2933MP Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 150MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 2mA 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 170V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存5,184
VRF2944 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSF RF N CH 170V 50A M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 50A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 400W 電壓-額定: 170V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存3,024
VRF2944MP Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 170V 50A M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 50A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 400W 電壓-額定: 170V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存8,244
VRF3933 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSF RF N CH 250V 20A M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 22dB 電壓-測試: 100V 額定電流（安培）: 20A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 250V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存5,706
VRF3933MP Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 250V 20A M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: N-Channel 頻率: 30MHz 增益: 28dB 電壓-測試: 100V 額定電流（安培）: 20A 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 350W 電壓-額定: 250V 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存4,428
XF1001-SC-0G00 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS HFET 1W SOT89 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: HFET 頻率: 6GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 8V 額定電流（安培）: 450mA 噪聲系數: 4.5dB 當前-測試: 300mA 功率-輸出: - 電壓-額定: 9V 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存6,354
XF1001-SC-0G0T M/A-Com Technology Solutions	晶體管-FET，MOSFET-RF TRANS HFET 1W SOT89 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: HFET 頻率: 6GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 8V 額定電流（安培）: 450mA 噪聲系數: 4.5dB 當前-測試: 300mA 功率-輸出: - 電壓-額定: 9V 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存3,598
1HN04CH-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CPH 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,276
1HP04CH-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CPH 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存24,228
2N6660 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存5,688
2N6660 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存6,516
2N6660-2 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存7,380
2N6660-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存7,308
2N6660JTVP02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,672
2N6660JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,078
2N6660JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,420
2N6660JTXP02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存7,128
2N6660JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39) 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存4,212
2N6661 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存4,590
2N6661 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存11,292
2N6661-2 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,798
2N6661-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,258
2N6661JAN02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存5,364
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存6,534
2N6661JTX02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存4,770
2N6661JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-39 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	庫存3,042

VRF191

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 22dB
電壓-測試: 100V
額定電流（安培）: 12A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 150W
電壓-額定: 270V
包裝/箱: T11
供應商設備包裝: T11

庫存2,232

VRF191MP

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
頻率: -
增益: -
電壓-測試: -
額定電流（安培）: -
噪聲系數: -
當前-測試: -
功率-輸出: -
電壓-額定: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,338

VRF2933

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 150MHz
增益: 25dB
電壓-測試: 50V
額定電流（安培）: 2mA
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 300W
電壓-額定: 170V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存370

VRF2933FL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 22dB
電壓-測試: 50V
額定電流（安培）: 42A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 300W
電壓-額定: 170V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存8,136

VRF2933MP

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 150MHz
增益: 25dB
電壓-測試: 50V
額定電流（安培）: 2mA
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 300W
電壓-額定: 170V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存5,184

VRF2944

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSF RF N CH 170V 50A M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 22dB
電壓-測試: 50V
額定電流（安培）: 50A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 400W
電壓-額定: 170V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存3,024

VRF2944MP

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 170V 50A M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 25dB
電壓-測試: 50V
額定電流（安培）: 50A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 400W
電壓-額定: 170V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存8,244

VRF3933

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSF RF N CH 250V 20A M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 22dB
電壓-測試: 100V
額定電流（安培）: 20A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 300W
電壓-額定: 250V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存5,706

VRF3933MP

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 250V 20A M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: N-Channel
頻率: 30MHz
增益: 28dB
電壓-測試: 100V
額定電流（安培）: 20A
噪聲系數: -
當前-測試: 250mA
功率-輸出: 350W
電壓-額定: 250V
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存4,428

XF1001-SC-0G00

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS HFET 1W SOT89

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: HFET
頻率: 6GHz
增益: 15.5dB
電壓-測試: 8V
額定電流（安培）: 450mA
噪聲系數: 4.5dB
當前-測試: 300mA
功率-輸出: -
電壓-額定: 9V
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存6,354

XF1001-SC-0G0T

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS HFET 1W SOT89

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: HFET
頻率: 6GHz
增益: 15.5dB
電壓-測試: 8V
額定電流（安培）: 450mA
噪聲系數: 4.5dB
當前-測試: 300mA
功率-輸出: -
電壓-額定: 9V
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存3,598

1HN04CH-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CPH
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,276

1HP04CH-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CPH
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存24,228

2N6660

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存5,688

2N6660

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存6,516

2N6660-2

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存7,380

2N6660-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存7,308

2N6660JTVP02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,672

2N6660JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,078

2N6660JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,420

2N6660JTXP02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存7,128

2N6660JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 990mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-205AD (TO-39)
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存4,212

2N6661

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存4,590

2N6661

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存11,292

2N6661-2

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,798

2N6661-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,258

2N6661JAN02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存5,364

2N6661JTVP02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存6,534

2N6661JTX02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存4,770

2N6661JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-39
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

庫存3,042

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