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晶體管

記錄 64,903
頁面 902/2164
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型號
描述
庫存
數量
MRF19030LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.96GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 300mA
  • 功率-輸出: 30W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400
庫存7,704
MRF19030LSR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.96GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 300mA
  • 功率-輸出: 30W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S
庫存8,046
MRF19030LSR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.96GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 300mA
  • 功率-輸出: 30W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S
庫存7,128
MRF19045LR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 14.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 550mA
  • 功率-輸出: 9.5W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400-240
庫存3,420
MRF19045LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 14.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 550mA
  • 功率-輸出: 9.5W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400-240
庫存2,430
MRF19045LSR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 14.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 550mA
  • 功率-輸出: 9.5W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S-240
庫存6,696
MRF19045LSR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 14.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 550mA
  • 功率-輸出: 9.5W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S-240
庫存5,310
MRF19085LR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 850mA
  • 功率-輸出: 18W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: SOT-957A
  • 供應商設備包裝: NI-780H-2L
庫存6,066
MRF19085LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 850mA
  • 功率-輸出: 18W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: SOT-957A
  • 供應商設備包裝: NI-780H-2L
庫存5,814
MRF19085LSR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 850mA
  • 功率-輸出: 18W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-780S
  • 供應商設備包裝: NI-780S
庫存2,196
MRF19090SR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 11.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 750mA
  • 功率-輸出: 90W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-880S
  • 供應商設備包裝: NI-880S
庫存2,142
MRF19125R3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-880

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 1.3A
  • 功率-輸出: 24W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-880
  • 供應商設備包裝: NI-880
庫存8,370
MRF19125R5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 1.93GHZ NI-880

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.93GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 26V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 1.3A
  • 功率-輸出: 24W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-880
  • 供應商設備包裝: NI-880
庫存8,064
MRF1K50GNR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 23dB
  • 電壓-測試: 50V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: -
  • 功率-輸出: 1500W
  • 電壓-額定: 50V
  • 包裝/箱: OM-1230G-4L
  • 供應商設備包裝: OM-1230G-4L
庫存8,586
MRF1K50HR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

HIGH POWER RF TRANSISTOR

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 22.5dB
  • 電壓-測試: -
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: -
  • 功率-輸出: 1500W
  • 電壓-額定: 50V
  • 包裝/箱: SOT-979A
  • 供應商設備包裝: NI-1230-4H
庫存4,734
MRF1K50H-TF5

晶體管-FET,MOSFET-RF

MRF1K50H-TF5

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS (Dual)
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 23.7dB
  • 電壓-測試: 50V
  • 額定電流(安培): 20µA
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 200mA
  • 功率-輸出: 1500W
  • 電壓-額定: 135V
  • 包裝/箱: SOT-979A
  • 供應商設備包裝: NI-1230-4H
庫存6,192
MRF1K50NR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 23dB
  • 電壓-測試: 50V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: -
  • 功率-輸出: 1500W
  • 電壓-額定: 50V
  • 包裝/箱: OM-1230-4L
  • 供應商設備包裝: OM-1230-4L
庫存7,920
MRF1K50N-TF1

晶體管-FET,MOSFET-RF

MRF1K50N-TF1

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 23dB
  • 電壓-測試: 50V
  • 額定電流(安培): 10µA
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: -
  • 電壓-額定: 133V
  • 包裝/箱: OM-1230-4L
  • 供應商設備包裝: OM-1230-4L
庫存3,546
MRF1K50N-TF4

晶體管-FET,MOSFET-RF

MRF1K50N-TF4

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 1.8MHz ~ 500MHz
  • 增益: 23dB
  • 電壓-測試: 50V
  • 額定電流(安培): 10µA
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: -
  • 電壓-額定: 133V
  • 包裝/箱: OM-1230-4L
  • 供應商設備包裝: OM-1230-4L
庫存6,156
MRF21010LR1

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.17GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-360
  • 供應商設備包裝: NI-360
庫存5,814
MRF21010LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-360
  • 供應商設備包裝: NI-360
庫存7,722
MRF21010LSR1

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.17GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-360S
  • 供應商設備包裝: NI-360S
庫存1,453
MRF21010LSR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.17GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 100mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-360S
  • 供應商設備包裝: NI-360S
庫存5,544
MRF21030LR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.14GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 250mA
  • 功率-輸出: 30W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400
庫存7,398
MRF21030LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.14GHz
  • 增益: 13dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 250mA
  • 功率-輸出: 30W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400
庫存6,372
MRF21045LR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.17GHz
  • 增益: 15dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 500mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400-240
庫存6,444
MRF21045LR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-400

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.16GHz ~ 2.17GHz
  • 增益: 15dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 500mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400
  • 供應商設備包裝: NI-400
庫存3,636
MRF21045LSR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.17GHz
  • 增益: 15dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 500mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S
庫存3,294
MRF21045LSR5

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.16GHz ~ 2.17GHz
  • 增益: 15dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 500mA
  • 功率-輸出: 10W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-400S
  • 供應商設備包裝: NI-400S
庫存3,456
MRF21085LSR3

晶體管-FET,MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS
  • 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 增益: 13.6dB
  • 電壓-測試: 28V
  • 額定電流(安培): -
  • 噪聲系數: -
  • 當前-測試: 1A
  • 功率-輸出: 19W
  • 電壓-額定: 65V
  • 包裝/箱: NI-780S
  • 供應商設備包裝: NI-780S
庫存4,842