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MRF21010LSR5

MRF21010LSR5

僅供參考

型號 MRF21010LSR5
PNEDA編號 MRF21010LSR5
描述 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF21010LSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF21010LSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF21010LSR5, MRF21010LSR5數據表 (總頁數: 8, 大小: 434.33 KB)
PDFMRF21010LSR1數據表 封面
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MRF21010LSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.17GHz
增益13.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出10W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-360S
供應商設備包裝NI-360S

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NXP USA Inc.

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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ATF-33143-BLKG

Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

-

晶體管類型

pHEMT FET

頻率

2GHz

增益

15dB

電壓-測試

4V

額定電流(安培)

305mA

噪聲系數

0.5dB

當前-測試

80mA

功率-輸出

22dBm

電壓-額定

5.5V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

17.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

33W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.12GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

610mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

BF510,215

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel JFET

頻率

100MHz

增益

-

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1.5dB

當前-測試

5mA

功率-輸出

-

電壓-額定

20V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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