晶體管

PBRN123ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBRN123YK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3; MPAK

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PBRN123YS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 700mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBRN123YT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBRP113ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBRP113ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 130 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBRP113ZS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBRP113ZT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBRP123ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBRP123ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBRP123YS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBRP123YT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 230 @ 300mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PDTA113EE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75

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PDTA113EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3; MPAK

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PDTA113EM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: DFN1006-3

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PDTA113EMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-XFDFN
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3

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PDTA113ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

加入購物車更新到購物車

PDTA113ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PDTA113EU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 40mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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PDTA113ZE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75

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PDTA113ZK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3; MPAK

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PDTA113ZM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: DFN1006-3

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PDTA113ZMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-XFDFN
• 供應商設備包裝: DFN1006B-3

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PDTA113ZS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 500mW
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PDTA113ZT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100mA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PDTA113ZU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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PDTA114EE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75

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PDTA114EEAF

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75

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PDTA114EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3; MPAK

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PDTA114EM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: DFN1006-3

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