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晶體管

記錄 64,903
頁面 680/2164
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型號
描述
庫存
數量
NSBC143ZF3T5G
NSBC143ZF3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 254mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-1123
  • 供應商設備包裝: SOT-1123
庫存7,038
NSBC144EF3T5G
NSBC144EF3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 254mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-1123
  • 供應商設備包裝: SOT-1123
庫存2,718
NSBC144TF3T5G
NSBC144TF3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.254W

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 254mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-1123
  • 供應商設備包裝: SOT-1123
庫存6,066
NSBC144WF3T5G
NSBC144WF3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 254mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-1123
  • 供應商設備包裝: SOT-1123
庫存2,304
NSV9435T1G
NSV9435T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 3A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 30V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 125 @ 800mA, 1V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 550mV @ 300mA, 3A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 110MHz
  • 功率-最大: 720mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
  • 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)
庫存3,204
NSVDTA113EM3T5G
NSVDTA113EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存3,204
NSVDTA114EET1G
NSVDTA114EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存6,354
NSVDTA114EM3T5G
NSVDTA114EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V BIPOLAR SOT-723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存8,010
NSVDTA114YM3T5G
NSVDTA114YM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存2,412
NSVDTA115EET1G
NSVDTA115EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存3,258
NSVDTA123EM3T5G
NSVDTA123EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存6,840
NSVDTA123JM3T5G
NSVDTA123JM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存4,266
NSVDTA143EM3T5G
NSVDTA143EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存6,426
NSVDTA143ZET1G
NSVDTA143ZET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存3,456
NSVDTA144EET1G
NSVDTA144EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP 50V SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存8,064
NSVDTA144WET1G
NSVDTA144WET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存2,556
NSVDTC113EM3T5G
NSVDTC113EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V 0.1A SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存6,138
NSVDTC114YM3T5G
NSVDTC114YM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存8,046
NSVDTC123EM3T5G
NSVDTC123EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V 0.1A SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存4,860
NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V 0.1A SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存5,850
NSVDTC123JM3T5G
NSVDTC123JM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

SOT-723 BIAS RESISTOR

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存8,748
NSVDTC143ZET1G
NSVDTC143ZET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V BIPOLAR SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存46,794
NSVDTC143ZM3T5G
NSVDTC143ZM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V 100MA SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存3,096
NSVDTC144EM3T5G
NSVDTC144EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存8,280
NSVDTC144TM3T5G
NSVDTC144TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存8,820
NSVDTC144WET1G
NSVDTC144WET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS NPN 50V BRT SC75-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存4,680
NSVMMUN2112LT1G
NSVMMUN2112LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存2,538
NSVMMUN2113LT3G
NSVMMUN2113LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存2,556
NSVMMUN2114LT3G
NSVMMUN2114LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存2,088
NSVMMUN2131LT1G
NSVMMUN2131LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存2,100