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晶體管

記錄 64,903
頁面 658/2164
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型號
描述
庫存
數量
DTC123EU3HZGT106
DTC123EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存26,616
DTC123EU3T106
DTC123EU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存2,970
DTC123EUAT106
DTC123EUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存4,032
DTC123JCAT116
DTC123JCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存4,014
DTC123JCA-TP
DTC123JCA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23
庫存29,556
DTC123JEBTL
DTC123JEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存8,280
DTC123JET1
DTC123JET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存5,490
DTC123JET1G
DTC123JET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存3,454
DTC123JETL
DTC123JETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存155,874
DTC123JE-TP
DTC123JE-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT523

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存27,642
DTC123JKAT146
DTC123JKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存1,308,750
DTC123JKA-TP
DTC123JKA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3L
庫存3,492
DTC123JM3T5G
DTC123JM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存5,076
DTC123JMFHAT2L
DTC123JMFHAT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存4,698
DTC123JMT2L
DTC123JMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存93,648
DTC123JM-TP
DTC123JM-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 100mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存4,518
DTC123JSATP
DTC123JSATP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
  • 供應商設備包裝: SPT
庫存3,508
DTC123JU3HZGT106
DTC123JU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存5,040
DTC123JU3T106
DTC123JU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存8,748
DTC123JUAT106
DTC123JUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存25,518
DTC123JUA-TP
DTC123JUA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存24,468
DTC123JUBHZGTL
DTC123JUBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存2,916
DTC123JUBTL
DTC123JUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存5,742
DTC123TET1G
DTC123TET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存2,214
DTC123TKAT146
DTC123TKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存3,096
DTC123TM3T5G
DTC123TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存3,150
DTC123YCAHZGT116
DTC123YCAHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 350mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存6,174
DTC123YCAT116
DTC123YCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: *
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存5,490
DTC123YEBHZGTL
DTC123YEBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC123YEBHZG IS A TRANSISTOR WIT

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存22,428
DTC123YETL
DTC123YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存2,088