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DTC123JET1G

DTC123JET1G

僅供參考

型號 DTC123JET1G
PNEDA編號 DTC123JET1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC123JET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC123JET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC123JET1G, DTC123JET1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 104.69 KB)
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DTC123JET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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