晶體管

型號	描述	庫存
STD95P3LLH6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ H6 FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,444
STD96N3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,518
STD9HN65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,194
STD9N40M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 6A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,978
STD9N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,524
STD9N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,860
STD9N80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ K5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,808
STD9NM40N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,032
STD9NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,912
STD9NM50N-1 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,182
STD9NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 452pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,194
STDLED524 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 525V 4A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,564
STDLED623 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 3A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,970
STDLED625 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,974
STDLED625H STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存22,800
STDLED627 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 7A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,532
STDLED656 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 6A DPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 895pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,658
STDV3055L104T4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 48W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存23,424
STE110NS20FD STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: MESH OVERLAY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 504nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存4,482
STE139N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP., 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 363nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 672W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,662
STE140NF20D STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 338nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,328
STE145N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 414nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 679W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存6,552
STE180NE10 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 795nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存8,802
STE250NS10 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 900nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存6,444
STE26NA90 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.75V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 660nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存3,852
STE30NK90Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 490nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存3,690
STE40NC60 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存8,460
STE40NK90ZD STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperFREDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 826nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 600W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存6,966
STE45NK80ZD STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperFREDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 781nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 600W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存3,580
STE48NM50 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 450W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: ISOTOP	庫存6,858

STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ H6
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,444

STD96N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,518

STD9HN65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,194

STD9N40M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 6A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,978

STD9N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,524

STD9N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,860

STD9N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ K5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,808

STD9NM40N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,032

STD9NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,912

STD9NM50N-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,182

STD9NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 452pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,194

STDLED524

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 4A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,564

STDLED623

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,970

STDLED625

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,974

STDLED625H

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存22,800

STDLED627

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 7A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,532

STDLED656

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 895pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,658

STDV3055L104T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 48W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存23,424

STE110NS20FD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: MESH OVERLAY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 504nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存4,482

STE139N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 363nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 672W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,662

STE140NF20D

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 338nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,328

STE145N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 414nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 679W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存6,552

STE180NE10

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 795nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存8,802

STE250NS10

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 900nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存6,444

STE26NA90

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.75V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 660nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存3,852

STE30NK90Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 490nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存3,690

STE40NC60

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: PowerMESH™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存8,460

STE40NK90ZD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperFREDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 826nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存6,966

STE45NK80ZD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperFREDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 781nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存3,580

STE48NM50

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 450W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: ISOTOP

庫存6,858

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