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STE145N65M5

STE145N65M5

僅供參考

型號 STE145N65M5
PNEDA編號 STE145N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STE145N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STE145N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STE145N65M5, STE145N65M5數據表 (總頁數: 13, 大小: 814.87 KB)
PDFSTE145N65M5數據表 封面
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STE145N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)143A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs414nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18500pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)679W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱ISOTOP

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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10nC @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.44A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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功耗(最大值)

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